功能描述：MOSFET N-CH 8-SOIC

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：50nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2760pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.8 毫欧 @ 18A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOIC

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：3,000

AO4498L

AO4566

AO4566.

AO4568

AO4576

AO4578

AO4588

AO4600

AO4600A/AO4600

AO4600B